关于我们网站声明联系方式用户反馈网站地图帮助

首页

电报

话题

盯盘

VIP

FM

投研

下载

我的关注

HBM
1.05W关注
HBM是一种基于3D堆叠工艺的dram内存芯片，由多层dram堆叠
全部内容
2025-09-20 09:21
【中原证券：国产算力芯片迎来高光时刻 超节点和集群层面双双赶超】财联社9月20日电，中原证券研报表示，近期国内厂商一改在算力芯片领域低调的风格，阿里和华为算力进展及成果相继发布，集中对市场释放了积极的信号。对比年初DeepSeek-R1发布，中国不光在模型层对标海外厂商，在硬件层也通过集群计算方式补足了芯片上的差距，在超节点和集群层面的全球领先，而且还实现了HBM的自主和互联技术的重要突破。因此对中国AI和算力产业长期发展给予更加积极的预期，仍然继续看好近期行业市场表现，建议积极关注EDA企业华大九天，有大规模智算中心交付计划的润泽科技，在低空经济和商业航空领域积极开拓的中科星图。
收藏
阅330.4W
评论(6)
2025-09-15 16:02 来自 TheElec
【“HBM之父”：HBF可能成为人工智能未来的决定性因素】《科创板日报》15日讯，被称作“HBM之父”的韩国科学技术院（KAIST）教授金正浩指出，HBF（高带宽闪存）可能成为人工智能未来的决定性因素。HBF是一种类似HBM的专为AI领域设计的新型存储器架构，区别在于HBF使用NAND闪存代替DRAM。金正浩强调，当前的人工智能瓶颈在于内存带宽和容量，速度较慢但容量更高的NAND闪存可以作为补充。 (TheElec)
收藏
阅271.05W
评论(0)
2025-09-15 15:13
财联社9月15日电，马斯克表示，位于美国德州的三星工厂将生产AI6，而非AI5，至于是否使用高带宽内存（HBM）尚未做出决定。
收藏
阅275.09W
评论(0)
2025-09-12 16:03 来自 ZDNet
【三星拟扩大1c DRAM产能】《科创板日报》12日讯，三星电子计划在明年上半年完成其平泽四号园区(P4)1c DRAM的设备投资，力争在HBM4领域取得先机。公司另准备在其华城17号线进行1c DRAM的转换投资。报告指出，三星今年的1c DRAM产能可能上升至每月6万片晶圆左右。 (ZDNet)
收藏
阅336.59W
评论(0)
2025-09-12 08:34
【SK海力士完成HBM4开发并准备量产】财联社9月12日电，韩国芯片制造商SK海力士表示，该公司已完成全球首款HBM4的开发工作，已为量产做好准备。该公司股价一度涨逾5%。
收藏
阅318.16W
评论(0)
2025-09-11 17:34 来自 日经新闻
【铠侠计划于2027年推出与英伟达合作开发的AI SSD】《科创板日报》11日讯，日本铠侠计划到2027年实现AI SSD的商业化，其数据读取速度将比传统产品快近100倍。该SSD将与英伟达合作开发并用于处理生成式AI计算的服务器，旨在部分取代作为GPU内存扩展器的HBM。 (日经新闻)
收藏
阅269.05W
评论(0)
2025-09-11 14:30 来自 Sedaily
【SK海力士与Naver Cloud合作测试CXL和PIM】《科创板日报》11日讯，为超越HBM，SK海力士已与Naver Cloud合作，启动概念验证测试，以推动下一代AI内存解决方案的商业化。SK海力士表示，已与Naver Cloud签署了一份谅解备忘录，合作重点是在Naver Cloud的实际数据中心测试CXL和PIM。 (Sedaily)
收藏
阅287.74W
评论(0)
2025-09-08 12:39
【机构：先进逻辑和DRAM应用推动 Q2全球半导体设备销售额环比增长3%】《科创板日报》8日讯，SEMI报告显示，2025年第二季度全球半导体设备销售额同比增长24%，达330.7亿美元。受前沿逻辑、先进高带宽存储器 (HBM) 相关DRAM 应用以及亚洲出货量增长的推动，2025年第二季度销售额环比增长3%。全球半导体设备市场在2024年创下1170亿美元的纪录后，2025年上半年表现强劲，收入超过650亿美元。
收藏
阅288.22W
评论(3)
2025-08-21 14:46 来自 SEDaily
【消息称三星HBM4样品已通过英伟达测试 本月预生产】《科创板日报》21日讯，三星上月提供给英伟达的HBM4样品已通过初期测试和质量测试，将在本月底进入“预生产”阶段。HBM4芯片将被应用在英伟达的下一代AI加速器“Rubin”中。如果三星能顺利通过预生产阶段，他们的HBM4芯片在11月就能开始量产，从而迅速缩小与SK海力士之间的差距。 (SEDaily)
收藏
阅297.82W
评论(0)
2025-08-18 16:42 来自 闪存市场
【2025年二季度全球DRAM市场规模环比增长20%至321.01亿美元】《科创板日报》18日讯，AI驱动以HBM3E和高容量DDR5为代表的高价值DRAM需求持续增长，以及二季度存储原厂EOL通知刺激传统DDR4/LPDDR4X价格与需求快速攀升的双重驱动下，2025年二季度全球DRAM市场规模环比增长20%至321.01亿美元，创历史季度新高。SK海力士继续刷新自己在DRAM市场的优势，在2025年二季度以38.2%的市场份额再度蝉联第一，并扩大了与三星的差距。 (闪存市场)
收藏
阅260.56W
评论(0)
2025-08-18 13:42 来自 台湾工商时报
【消息称英伟达计划自研HBM Base Die】《科创板日报》18日讯，英伟达已启动自家HBM Base Die（逻辑层 / 底层芯片）设计计划，未来无论选择任一品牌HBM堆叠产品，Base Die都将采用英伟达自有设计方案，制程节点3nm，预估将于2027年下半年开始小量试产。 (台湾工商时报)
收藏
阅279.33W
评论(0)
2025-08-18 13:30
【机构：二季度DRAM市场规模创历史季度新高】《科创板日报》18日讯，据闪存市场最新统计，在AI驱动以HBM3E和高容量DDR5为代表的高价值DRAM需求持续增长，以及二季度存储原厂EOL（产品生命周期终止）通知刺激传统DDR4/LPDDR4X价格与需求快速攀升的双重驱动下，2025年二季度全球DRAM市场规模环比增长20%至321.01亿美元，创历史季度新高。其中，SK海力士继续刷新自己在DRAM市场的优势，二季度以38.2%的市场份额蝉联第一，并扩大了与三星的差距。
收藏
阅281.93W
评论(1)
2025-08-14 11:02 来自 证券时报
【佰维存储：存储行业从当前时点来看景气度仍会持续】财联社8月14日电，佰维存储近日在2025年半年度业绩交流会上表示，2025年一季度，闪迪、长存、美光等存储企业已经分别发布涨价函，个别产品的价格已经有所企稳回升。经过上半年的减产与库存去化，NAND供需失衡情况已明显改善；DRAM方面，由于三星、美光、海力士的业务重心仍在HBM等高端产品，陆续减少DDR4以及Mobile用LPDDR4X的供应，并宣布相关产品进入EOL，引发了相关产品的供应短缺，产品价格上涨。目前存储行业价格企稳回升，叠加传统旺季的备货动能，以及AI眼镜等新兴应用需求旺盛，从当前时点来看，景气度仍会持续。 (证券时报)
佰维存储+2.74%
收藏
阅269.04W
评论(2)
2025-08-12 08:52 来自 财联社 刘蕊
DRAM价格进入复苏周期！美光科技上调业绩指引 股价涨超4%
①美光科技上调第四财季收入和调整后利润预期，预计收入为112亿美元，调整后每股收益为2.85美元，调整后毛利率预期上调至44.5%。
②美光表示，修正后的预测反映了价格的改善，特别是DRAM产品的价格改善。
收藏
阅73.26W
评论(1)
2025-08-08 08:37
【中信证券：估算2025/2026年全球AI CAPEX规模同比增速分别为+64%/50%】财联社8月8日电，中信证券指出，2025二季度，科技巨头整体经营状况均显著好于市场此前偏谨慎的预期，云业务增速上行势头亦更加显著，同时随着AI应用渗透率提升，算力需求大于供给的趋势延续，叠加美国税收改革法案“大而美”法案带来的自由现金流（FCF）增量，共同推动2025年整体资本性支出（CAPEX）指引上修，对于2026年CAPEX的展望也更加积极，我们估算2025/2026年全球AI CAPEX规模同比增速分别为+64%/50%。同时，我们紧密关注关税后续落地及其对全球宏观经济的影响、AI在2025H2的货币化进展、“大而美”法案税收优惠落地等变量。AI算力相关板块，我们继续推荐商用GPU、ASIC、存储（HBM&HDD）、网络设备等子板块。
收藏
阅327.4W
评论(0)
2025-08-01 13:09
【三星电子：HBM3E供需将发生变化 未来与传统DRAM的利润率差距将大幅缩小】《科创板日报》1日讯，三星电子在其最新业绩电话会议上表示，对于HBM3E产品，由于供给增加量超过需求增长率，预计供需将发生变化，预计这将暂时对市场价格产生影响。三星表示，考虑到下半年传统DRAM的价格上涨，认为未来HBM3E与传统DRAM之间的利润率差距将大幅缩小。从盈利能力优化的角度来看，短期内均衡的产品组合策略可能变得更加必要。
收藏
阅341.4W
评论(0)
2025-07-31 21:12 来自 ZDNet
【三星或对其HBM3E内存进行降价】《科创板日报》31日讯，三星电子表示，HBM3E的供应增长速度将超过需求增长速度，预计供需关系将发生变化。短期内市场价格也可能受到影响。业内人士指出，三星已针对客户提出HBM3E的降价提案，以促成商用合作。 (ZDNet)
收藏
阅277.66W
评论(0)
2025-07-31 10:04
【三星电子：下半年HBM3E芯片销售将占逾90% 已向客户提供HBM4芯片样品】财联社7月31日电，三星电子表示，下半年HBM3E芯片销售将占逾90%，已向客户提供HBM4芯片样品，下半年AI芯片需求成长将加速；下半年DRAM价格将持续上涨；HBM3E芯片供应成长速度快于需求。
收藏
阅280.99W
评论(0)
2025-07-24 13:47 来自 Deal Site
【消息称三星12层HBM4量产推迟至2026年】《科创板日报》24日讯，三星电子基于10纳米级第六代1c DRAM所生产的12层第HBM4，原本计划于2025年下半年量产。最新消息指出，三星决定将量产时间推迟至2026年，并预计在2025年第3季度内，将制造出的HBM4样品交付主要客户。 (Deal Site)
收藏
阅280.57W
评论(0)
2025-07-24 08:26
财联社7月24日电，SK海力士表示，正在与客户进行2026年的供应谈判，客户对HBM的需求“毫无疑问”在持续增长。
收藏
阅277.79W
评论(0)
加载更多
热门话题推荐arrow