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HBM是一种基于3D堆叠工艺的dram内存芯片，由多层dram堆叠
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2025-08-01 13:09
【三星电子：HBM3E供需将发生变化 未来与传统DRAM的利润率差距将大幅缩小】《科创板日报》1日讯，三星电子在其最新业绩电话会议上表示，对于HBM3E产品，由于供给增加量超过需求增长率，预计供需将发生变化，预计这将暂时对市场价格产生影响。三星表示，考虑到下半年传统DRAM的价格上涨，认为未来HBM3E与传统DRAM之间的利润率差距将大幅缩小。从盈利能力优化的角度来看，短期内均衡的产品组合策略可能变得更加必要。
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2025-07-31 21:12 来自 ZDNet
【三星或对其HBM3E内存进行降价】《科创板日报》31日讯，三星电子表示，HBM3E的供应增长速度将超过需求增长速度，预计供需关系将发生变化。短期内市场价格也可能受到影响。业内人士指出，三星已针对客户提出HBM3E的降价提案，以促成商用合作。 (ZDNet)
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2025-07-31 10:04
【三星电子：下半年HBM3E芯片销售将占逾90% 已向客户提供HBM4芯片样品】财联社7月31日电，三星电子表示，下半年HBM3E芯片销售将占逾90%，已向客户提供HBM4芯片样品，下半年AI芯片需求成长将加速；下半年DRAM价格将持续上涨；HBM3E芯片供应成长速度快于需求。
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2025-07-24 13:47 来自 Deal Site
【消息称三星12层HBM4量产推迟至2026年】《科创板日报》24日讯，三星电子基于10纳米级第六代1c DRAM所生产的12层第HBM4，原本计划于2025年下半年量产。最新消息指出，三星决定将量产时间推迟至2026年，并预计在2025年第3季度内，将制造出的HBM4样品交付主要客户。 (Deal Site)
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2025-07-24 08:26
财联社7月24日电，SK海力士表示，正在与客户进行2026年的供应谈判，客户对HBM的需求“毫无疑问”在持续增长。
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2025-07-21 20:51
【消息称三星将在本月向AMD、英伟达等提供HBM4样品】《科创板日报》21日讯，三星已准备在本月底前向AMD和英伟达等客户提供HBM4样品。三星计划应用10纳米级第六代（1c）DRAM工艺，开发更精密、良率更高的HBM4。后续三星和SK海力士都计划在下半年正式量产HBM4，并从明年起全面展开竞争。
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2025-07-21 16:51 来自 ZDNET Korea
【消息称SK海力士拟扩产HBM3E 8层产品】《科创板日报》21日讯，业界消息称，SK海力士正在讨论扩大HBM3E 8层产品的生产规模，其出货量预计将超出最初预期。 (ZDNET Korea)
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2025-07-16 17:10
【TrendForce：英伟达H20出口解禁助力需求释放 预估中国外购AI芯片比例将回升至49%】《科创板日报》16日讯，TrendForce集邦咨询表示，美国有望允许NVIDIA（英伟达）恢复对中国市场销售H20 GPU，政策转折将有助带动当地AI与云端业者的需求回补，预期H20将重新成为该市场高端AI芯片主力，带动HBM需求同步增加。依最新形势推估，在NVIDIA可能将冲刺原定出货目标下，TrendForce集邦咨询据此调升中国AI市场外购NVIDIA、AMD（超威）等芯片比例到49%，先前考量出口禁令预估值约42%。
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2025-07-07 16:01
【机构: 预计Q3一般型DRAM价格环比增长10%至15%】《科创板日报》7日讯，据TrendForce集邦咨询最新调查，由于三大DRAM原厂将产能转向高阶产品，并陆续宣布PC/Server用DDR4以及Mobile用LPDDR4X进入产品生命周期末期(EOL)，引发市场对旧世代产品积极备货，叠加传统旺季备货动能，将推升2025年第三季一般型DRAM价格季增10%至15%，若纳入HBM，整体DRAM涨幅将季增15%至20%。
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2025-07-07 15:18
【三星电子与博通推进12层HBM3E供应 预计供应量达10亿Gb】《科创板日报》7日讯，三星电子近期已完成与博通就12层HBM3E产品的质量测试，正就量产供应展开磋商。当前协商的供应量按容量计算约为10亿Gb级别左右，量产时间预计最早从今年下半年延续至明年。
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2025-07-03 08:20
【天风证券：看好存储板块近期重大机遇】财联社7月3日电，天风证券研报表示，看好存储板块近期重大机遇，基于：1、四季度存储大板块或持续涨价；2、AI服务器、PC、手机等带动存储容量快速升级+HBM、eSSD、RDIMM等高价值量产品渗透率持续提升，拉高板块收入提亮；3、国内存储市场进一步加速成长。
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2025-07-01 16:20 来自 Business Korea
【消息称三星与英伟达讨论12层HBM 3E供应可能性】《科创板日报》1日讯，三星DS部门负责人全永铉(Jun Young-hyun)日前访问英伟达美国总部，讨论为GB300 Blackwell Ultra提供12层HBM 3E潜在合作事宜。英伟达计划今年年底开始出货Blackwell Ultra，其已经与SK海力士和美光敲定了12层HBM3E的初步供应合同。但英伟达正在推迟敲定2026年供应量的最终合同，业内分析，若三星能成为12层HBM3E供应商，则英伟达有望在与SK海力士、美光的价格谈判中获得优势。 (Business Korea)
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2025-07-01 15:19
【SK海力士：有望向英特尔AI芯片Jaguar Shores供应HBM4】《科创板日报》1日讯，SK海力士表示，正与英特尔在大带宽、大容量内存方面合作，有望向英特尔Jaguar Shores AI显卡加速器供应HBM4。
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2025-06-24 12:21
【机构：预期英伟达于下半年推出RTX PRO 6000】《科创板日报》24日讯，TrendForce集邦咨询预期，英伟达RTX PRO 6000将于今年下半年推出，该机构分析，英伟达的存储器采购策略，为针对不同产品类别多元化供应商布局，HBM主要由SK海力士提供、美光科技为第二供应商，在LPDDR类别以美光科技为主要合作伙伴，GDDR则仰赖三星供应。
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2025-06-20 14:01 来自 韩国经济日报
《科创板日报》20日讯，SK海力士首款定制HBM预计将于2026年下半年推出，目前已将英伟达、微软和博通作为其主要客户。 (韩国经济日报)
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2025-06-17 14:38
【SK海力士开始准备为亚马逊提供12层HBM3E】《科创板日报》17日讯，据ZDNet Korea，SK海力士已开始准备为亚马逊提供12层HBM3E。亚马逊计划最早在今年年底或明年发布下一代AI芯片Trainium 3。与上一代相比，计算性能提高了一倍，能效提高了约40%。总内存容量144GB，集成了4个12层HBM3E。
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2025-06-13 12:55
【AMD MI350采用三星电子和美光HBM】《科创板日报》13日讯，AMD表示，Instinct MI350系列采用了三星电子和美光的HBM产品。Instinct MI350系列采用了8个36GB HBM3E内存，具有12Hi堆叠配置和8Gbps性能，内存总容量为288GB，带宽为8TB/s。
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2025-06-12 12:45
【集邦咨询：HBM4将在2026年第二季度量产】财联社6月12日电，在日前集邦咨询主办的“TSS 2025半导体产业高层论坛”上，集邦咨询分析师许家源指出，HBM迭代快速，预计HBM3e将占据2025年出货份额超过90%，2026年HBM4将开始渗透入市场，供货商预计2026年第二季度量产。SK海力士继续位居HBM主力供应商，美光快速追赶；英伟达维持HBM消费市场最大份额，预计HBM供需仍处平衡。另外，HBM占整体内存产能比重持续提升下，排挤效应正重塑内存行业供给格局，预计2025年内存平均售价持续受HBM供需变化所影响。另外，集邦咨询分析师龚瑞骄指出，近年来SiC产业经历了大规模的产能扩张，6英寸SiC晶圆已经供过于求，8英寸转型进程有所减速，以中国车企为代表的全球汽车业者高度重视SiC供应链布局。GaN正处于大规模应用的临界点，由中低功率消费电子逐渐走向高功率应用，汽车、AI数据中心、人形机器人等场景蕴藏巨大潜力。
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2025-06-12 10:27 来自 businesspost
【三星未通过英伟达第3次HBM3E认证 计划9月重新认证】《科创板日报》12日讯，三星电子6月进行的第3次英伟达12层HBM3E产品认证未获通过，下一次认证定于9月进行。而美光已将HBM3E的良率提高到70%以上。 (businesspost)
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2025-06-11 09:25 来自 台湾工商时报
【三星DRAM第17产线正推动制程转换 配合HBM与下一代DRAM量产】《科创板日报》11日讯，三星位于韩国华城的DRAM第17产线（Line 17）正推动制程转换，预计从DDR4转向14/16纳米等先进制程，配合HBM与下一代DRAM量产。三星将以平泽P4厂为主轴，自2025年下半年起进行大规模设备扩充投资，以提升成本竞争力。 (台湾工商时报)
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