《科创板日报》18日讯，英伟达已启动自家HBM Base Die（逻辑层 / 底层芯片）设计计划，未来无论选择任一品牌HBM堆叠产品，Base Die都将采用英伟达自有设计方案，制程节点3nm，预估将于2027年下半年开始小量试产。 (台湾工商时报)